台积电2nm工艺研发进展超预期 采用环绕栅极晶体管技术

发布日期:2020-09-28 06:49   来源:未知   阅读:

在此前报道中,外媒提及的与台积电2nm工艺相关的信息,出现过两次,均是在8月底。其一是台积电已在谋划2nm工艺的芯片生产工厂,将建在总部所在的新竹科学园区,台积电负责营运组织的资深副总经理秦永沛,透露他们已经获得了建厂所需的土地。第二次是在上月底的台积电2020年度全球技术论坛上,他们透露正在同一家主要客户紧密合作,加快2nm工艺的研发进展,相关的投资也在推进。

在最新的报道中,外媒援引产业链消息人士的透露报道称,台积电2nm工艺的研发进展超出预期,快于他们的计划。这一消息人士还透露,台积电的 2nm 工艺,不会继续采用成熟的鳍式场效应晶体管技术,而会采用环绕栅极晶体管技术(GAA)。

在7月16日的二季度财报分析师电话会议上,台积电 CEO 魏哲家透露,他们 3nm 工艺的研发正在按计划推进,仍将采用成熟的鳍式场效应晶体管技术(FinFET),计划在明年风险试产,2022年下半年大规模投产。同多次提及的3nm工艺相比,台积电目前并未公布太多2nm工艺的消息,在近几个季度的财报分析师电话会议上均未曾提及。

据国外媒体报道,在5nm工艺今年一季度投产,为苹果等客户代工最新的处理器之后,芯片代工商台积电下一步的工艺研发重点就将是更先进的3nm和2nm工艺。

虽然台积电方面未对外公布2nm工艺的消息,但外媒援引产业链人士透露的消息,还是进行过多次报道。

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